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石墨烯CVD制备设备

简要描述:这款配置的低真空CVD系统由1200℃真空管式炉,3通道气路系统和真空系统组成,可根据用户需要设计生产有双温区、三温区、多温区),可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量控制器和浮子流量控制器〕。真空泵、阀均釆用进口设备,性能可靠。控制电跻选用模糊PD程控技术,具有控温精度髙,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。石墨烯CVD制备设备

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  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2021-06-02
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    品牌 其他品牌 产地类别 进口
    应用领域 医疗卫生,生物产业,电子

    石墨烯CVD制备设备

    这款配置的低真空CVD系统由1200℃真空管式炉,3通道气路系统和真空系统组成,可根据用户需要设计生产有双温区、三温区、多温区),可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量控制器和浮子流量控制器〕。真空泵、阀均釆用进口设备,性能可靠。控制电跻选用模糊PD程控技术,具有控温精度髙,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等。

    技术参数

    1200双温区加热炉

    电压 AC220V 50/60Hz

    功率 4.5KW 双温控

    Max温度 1150 °C

    工作温度≤ 1100°C

    升温速率≤ 15°C/min

    温控系统 PID自动控制晶闸管(可控硅)输出功率,30段可编程控制器

    恒温精度 ±1°C

    石英管 25/50/60/80*1400mm

    三路质量流量控制系统

    MAX电压 185~245V/50Hz

    MAX输出功率 18W

    流量计标准量程 50,100,200,500SCCM(非特殊以氮气标定,量程可选定)

    工作温度 5~45°C

    工作压差 0.1~0.5 MPa

    MAX压力 3MPa

    准确度 ±1.5%FS

    低真空系统

    采用双极旋片真空泵

    不锈钢充油真空压力表,良好的抗震性

    安装过滤器

    内置测温系统

    测温元件可从加热区边缘延申至温区中心法兰密封,保证炉管的密封性测温元件,N型热电偶

    法兰及支撑

    304不锈钢快速水冷法兰,长期水冷无腐蚀,一个卡箍就能完成法兰的连接,放取物料方便快捷可调节法兰的支撑,平衡炉管的受力支撑。包含进气,出气,真空抽口针阀,KF密封圈及卡箍组合,4个密封硅胶圈等。

    可选配件

    混气系统,中,高真空系统,各种刚玉坩埚,石英管,计算机控制软件,无纸记录仪,氧含量分析仪,冷却水循环机。

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